碳化硅晶圆生产工艺（碳化硅晶圆生产工艺流程）

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碳化硅衬底化学机械抛光工艺流程包括：双面抛磨、粗抛、精抛。碳化硅衬底双面研磨：一般使用双面铸铁盘配合金刚石研磨液或者碳化硅晶圆研磨液进行加工。碳化硅衬底粗抛：针对碳化硅衬底加工可采用专门的碳化硅晶圆抛光液配合粗抛垫。

碳化硅晶圆研磨包括粗磨和精磨两道工艺流程。在碳化硅晶圆粗磨工艺流程中，使用的是氧化铝抛光液。氧化铝抛光液与工件表面直接接触，不断地进行切削和磨削，从而提升硅晶圆表面抛光光洁度。

碳化硅衬底是先抛光再减薄，碳化硅衬底是指将碳化硅材料制成薄膜，并用作衬底材料的过程。在制作过程中，一般会先抛光碳化硅材料，以提高表面光洁度，然后再进行减薄处理。

碳化硅晶圆抛光工艺流程是先粗抛后精抛。硅晶圆粗抛时用紫色高锰酸钾抛光液与碳化硅表面直接接触发生氧化反应，从而可将碳化硅表面氧化。硅晶圆精抛时可用硅溶胶抛光液。

碳化硅衬底研磨有两道工艺流程即先粗磨后精磨。碳化硅衬底粗磨时可使用氧化铝抛光液。抛光液直接接触工件表面，进行不断地磨削，提升硅晶圆表面抛光光洁度。在光学晶体和碳化硅表面抛光中常用到氧化铝抛光液。

一吨有20方。碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。

而由于一些特殊方面的应用，国外碳化硅生产企业对中国进行禁运，而碳化硅晶体巨大的技术壁垒又导致中国国内到目前为止仍没有企业能够生产，因此，国内下游企业和研究机构都在“等米下锅”。

碳化硅外延晶片即以碳化硅单晶作为衬底生长的外延片。

1、晶圆（Wafer）是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。晶圆简介晶圆是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片。

2、矽是由石英沙所精练出来的，晶圆便是矽元素加以纯化(9999%)，接着是将些纯矽制成矽晶棒，成为制造积体电路的石英半导体的材料，经过照相制版，研磨，抛光，切片等程式，将多晶矽融解拉出单晶矽晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆。

3、晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片。晶圆原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。

4、晶圆是指制作硅半导体积体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。

5、晶圆是电路制作所用的硅晶片。由于其形状为圆形，故称为晶圆，在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品，半导体集成电路最主要的原料是硅，因此对应的就是硅晶圆。

6、晶圆是微电子产业的行业术语之一。高纯度的硅（纯度，99..99，小数点后面9-11个9），一般被做成直径6英寸，8英寸或者12英寸的圆柱形棒。

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